一种PbS纳米片的制备方法
- 申请号：CN201410677990.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN104609464A
- 公开(公开)日：2015.05.13
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种PbS纳米片的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410677990.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104609464A | 公开（授权）日 | 2015.05.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 段中夏;莫茂松;王高翔 |
| 主分类号 | C01G21/21(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G21/21(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种PbS纳米片的制备方法 至一种PbS纳米片的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种PbS纳米片的制备方法，以分析纯的硝酸铅和L-胱氨酸为反应原料，以去离子水为溶剂，以分析纯的氢氧化钾和十六烷基苯磺酸钠为反应助剂，当硝酸铅和L-胱氨酸在溶液中混合，L-胱氨酸与Pb2+反应形成Cys-Pb2+-Cys配合物，然后，在高温高压水热反应条件下，Cys-Pb2+-Cys络合物分解形成Pb2+-Cys配合物，随着反应时间的延长，在水热条件下C-S键断裂形成团聚状的PbS纳米离子，在分解过程中，在溶液中胱氨酸的阻碍和SDBS软模板的限制下，使得PbS晶体沿二维方向生长的趋势增大，从而形成大面积二维PbS纳米片。 | ||
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