专利详情

专利名称	一种针对离子束牺牲层中高频误差抑制加工的复合牺牲层加工方法
申请号	CN201510031740.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104608024A	公开（授权）日	2015.05.13
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	施春燕;许力超;张亮;张凌
主分类号	B24B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	B24B13/00(2006.01)I
专利有效期	一种针对离子束牺牲层中高频误差抑制加工的复合牺牲层加工方法至一种针对离子束牺牲层中高频误差抑制加工的复合牺牲层加工方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种针对离子束牺牲层中高频误差抑制加工的复合牺牲层加工方法，属于先进光学制造与检测领域。提出甩胶、模压和修形的三步骤方法，来实现元件的均匀甩胶，有效的提升了甩胶的均匀性，提升了离子束牺牲层加工中高频误差的有效性。本发明虽然在模压环节增加了磨具的制作时间和制作成本，但被加工元件(平面、球面)在传统抛光过程中需要采用样板来指导加工，可采用该样板作为模压过程的磨具，因此，对于平面、球面被加工元件是不需要另外制作模具，对于非球面才需要制作模具。本发明可以有效实现对被加工元件基底面形实现均匀覆盖，弥补单独甩胶过程造成的胶层与基底面形一致的问题，适合用于超光滑、超高精度元件的批量化生产过程中。