专利详情

专利名称	用于太阳能电池的硅片
申请号	CN201420441064.0	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204311157U	公开（授权）日	2015.05.06
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	刘尧平;王燕;杨丽霞;梅增霞;陈伟;梁会力;库兹涅佐夫·安德烈;杜小龙
主分类号	C30B33/10(2006.01)I	IPC主分类号	C30B33/10(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I
专利有效期	用于太阳能电池的硅片至用于太阳能电池的硅片	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型公开了一种用于太阳能电池的硅片。该硅片具有制绒表面，制绒表面具有多个倒金字塔状凹坑，凹坑的底部呈圆滑状。采用酸性制绒液对硅片表面进行制绒，在较低温度和较短时间内形成了独立、完整且紧密排布的微米尺寸倒金字塔结构的制绒表面。该制绒表面的倒金字塔状凹坑结构能够将入射光的反射率降至5％～15％，提高了太阳能电池效率。此外，双面制备倒金字塔凹坑非常有利于制备HIT这样的对称结构电池。本实用新型的倒金字塔状凹坑结构不局限于HIT及常规扩散电池的制备中，还可以应用在其它使用硅衬底的太阳能电池及光电子器件中。