紫外光刻二维平台
- 申请号:CN201510026050.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
- 公开(公开)号:CN104597721A
- 公开(公开)日:2015.05.06
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 紫外光刻二维平台 | ||
| 申请号 | CN201510026050.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN104597721A | 公开(授权)日 | 2015.05.06 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明(设计)人 | 刘世杰;何骏;易葵;柯立公;杨留江;王斌;王岳亮;郭猛 |
| 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 专利有效期 | 紫外光刻二维平台 至紫外光刻二维平台 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种紫外光刻二维平台,该平台包括底板、立板、L形托板、深沟轴承、锁母、轴承盖、第一旋转台、传动支座、传感器、限位板、限位杆、第二旋转台、气嘴连接杆、平板、基板和限位块,利用本发明紫外光刻二维平台,将气嘴连接杆连接真空泵将涂有光刻胶的基底和光刻掩模板吸附在一起,保持固定不动,采用水平和竖直方向上的两个一维旋转台精确控制基底相对于光源的倾斜和旋转状态,实现各式各样复杂微结构的制作。该装置具有结构简单紧凑、变化自由多样化、可操作性强、自动化程度高等特点,实现了对传统曝光方式的改变,具有良好的应用前景。 | ||
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