一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统
- 申请号：CN201510050788.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN104599805A
- 公开(公开)日：2015.05.06
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统 | ||
| 申请号 | CN201510050788.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104599805A | 公开（授权）日 | 2015.05.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王秋良;胡新宁;戴银明 |
| 主分类号 | H01F6/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F6/00(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统 至一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统，由6个NbTi和2个Nb3Sn线圈以不同的空间位置和电流密度分布构成。磁体系统产生中心强度为16T磁场分布，满足太赫兹(THz)器件所要求的磁场均匀区长度为200mm和阴极区磁场强度为3000高斯的要求。整体超导线圈电磁设计由内到外径向电流密度逐渐增大。内层主线圈高磁场部分采用Nb3Sn超导线材，外层校正线圈使用线径由内到外逐渐减小的多种NbTi超导线组合。本发明采用分布式微流与分布式Litz高热导的固体丝与制冷机相连接，实现系统的整体冷却。 | ||
交易流程
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