专利详情

专利名称	一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层
申请号	CN201410728282.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104576785A	公开（授权）日	2015.04.29
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈星佑;顾溢;张永刚;奚苏萍
主分类号	H01L31/0304(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I
专利有效期	一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层至一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层，在半导体衬底上外延InAs突变弛豫层，随后在InAs突变弛豫层上外延In组分反向递变的砷化物异变结构材料作为缓冲层。本发明的探测器结构可拓展半导体衬底上波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的研制方法，采用In组分反向递变的砷化物异变缓冲层结构，有望较好释放较大失配InGaAs材料中的应变，降低InGaAs吸收层中缺陷密度，提高器件性能；本发明在波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的结构设计等方法引入了更大的自由度，具有广泛的应用前景。