专利详情

专利名称	石墨烯的生长方法
申请号	CN201310496579.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104562195A	公开（授权）日	2015.04.29
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王浩敏;唐述杰;卢光远;吴天如;姜达;丁古巧;张学富;谢红;谢晓明;江绵恒
主分类号	C30B29/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/02(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I
专利有效期	石墨烯的生长方法至石墨烯的生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。本发明通过引入气态催化元素催化方式，在绝缘衬底上快速生长高质量石墨烯，避免了石墨烯的转移过程，能够提高石墨烯的生产产量，而且大大降低了石墨烯的生长成本，有利于批量生产；本发明生长的石墨烯可应用于新型石墨烯电子器件、石墨烯透明导电膜、透明导电涂层等领域。