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一种线状纳米二氧化硅溶胶及其制备方法

  • 申请号:CN201410854330.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN104556060A
  • 公开(公开)日:2015.04.29
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种线状纳米二氧化硅溶胶及其制备方法
申请号 CN201410854330.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104556060A 公开(授权)日 2015.04.29
申请(专利权)人 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 梁晨亮;刘卫丽;宋志棠
主分类号 C01B33/141(2006.01)I IPC主分类号 C01B33/141(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I
专利有效期 一种线状纳米二氧化硅溶胶及其制备方法 至一种线状纳米二氧化硅溶胶及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及CMP技术抛光领域,特别是涉及一种线形二氧化硅溶胶及其制备方法。本发明提供一种线状二氧化硅溶胶,包括液体介质和溶胶颗粒,所述溶胶颗粒为线状二氧化硅颗粒。本产品的有益效果是:通过特选的酸性溶液与处理方法,形成线状二氧化硅溶胶。由于二氧化硅胶体颗粒为线状,其在芯片上的拖曳面积比单一球状的粒子要显著增大,故而能够提高抛光速率。同时,由于线状二氧化硅颗粒自身有一定的柔软度,对芯片的损伤也较煅烧二氧化硅较小。使用本发明的线状纳米二氧化硅颗粒作为CMP研磨颗粒,能有效提高抛光速率与降低表面损伤。

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