真空-氧气氛复合热压烧结制备高透过率透明电光陶瓷的方法
- 申请号:CN201410835598.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN104557058A
- 公开(公开)日:2015.04.29
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 真空-氧气氛复合热压烧结制备高透过率透明电光陶瓷的方法 | ||
| 申请号 | CN201410835598.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN104557058A | 公开(授权)日 | 2015.04.29 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 曾霞;何夕云;程文秀;仇萍荪;夏彬 |
| 主分类号 | C04B35/64(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/64(2006.01)I;C04B35/491(2006.01)I;C04B35/499(2006.01)I |
| 专利有效期 | 真空-氧气氛复合热压烧结制备高透过率透明电光陶瓷的方法 至真空-氧气氛复合热压烧结制备高透过率透明电光陶瓷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种真空-氧气氛复合热压烧结制备高透过率透明电光陶瓷的方法,包括:将透明电光陶瓷的素坯先经过分段预烧,再在1200-1280℃、20-60MPa以及氧气气氛下进行热压烧结得到所述透明电光陶瓷。本发明提出将透明电光陶瓷制备过程中的氧气氛交换这一关键过程通过真空氧气氛交替处理进行独立分步控制,将陶瓷素坯粉体颗粒间的空气置换成氧气,有助于陶瓷在致密化过程中闭合气孔的消除,最终实现高透过率、大尺寸的透明电光陶瓷。 | ||
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