金刚石纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用
- 申请号:CN201410720492.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院
- 公开(公开)号:CN104553124A
- 公开(公开)日:2015.04.29
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 金刚石纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用 | ||
| 申请号 | CN201410720492.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN104553124A | 公开(授权)日 | 2015.04.29 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明(设计)人 | 杨扬;张文军;唐永炳 |
| 主分类号 | B32B9/04(2006.01)I | IPC主分类号 | B32B9/04(2006.01)I;B32B5/08(2006.01)I;B32B37/02(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 金刚石纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用 至金刚石纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种金刚石纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用。本发明金刚石纳米针阵列复合材料包括衬底层和在所述衬底层表面形成的金刚石纳米针阵列,且在所述金刚石纳米针阵列中的金刚石纳米针表面生长有三维石墨烯层。本发明金刚石纳米针阵列复合材料制备方法包括在基体表面上沉积金刚石膜层、将所述金刚石膜层进行刻蚀成的金刚石纳米针阵列、在金刚石纳米针阵列表面生长三维石墨烯层。本发明金刚石纳米针阵列复合材料导热性能优异,性能场发射性能和稳定性能高。其制备工艺简单,条件可控性好,且其能够在气体传感器、生物传感器和电化学领域中应用。 | ||
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