自支撑介质薄膜及其制备方法
- 申请号:CN201510004085.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号:CN104555902A
- 公开(公开)日:2015.04.29
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 自支撑介质薄膜及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201510004085.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN104555902A | 公开(授权)日 | 2015.04.29 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院物理研究所 | 发明(设计)人 | 刘哲;李俊杰;顾长志;夏晓翔;杨海方 |
| 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 自支撑介质薄膜及其制备方法 至自支撑介质薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种自支撑介质薄膜及其制备方法。包括:提供第一衬底,并在第一衬底上依次形成第一和第二牺牲层;将第一衬底及第一和第二牺牲层置于液体溶剂中,将第一牺牲层溶解,从而使得第二牺牲层与第一衬底分离并悬浮在液体溶剂中;第二牺牲层为自支撑结构且能够以伸展状态悬浮在液体溶剂中;提供表面具有凹入部的第二衬底,并用其将第二牺牲层从液体溶剂中取出,使得第二牺牲层以伸展状态附着在第二衬底上;在第二牺牲层上形成介质薄膜层;至少去除第二牺牲层中与凹入部对应的部分,使得介质薄膜层中与凹入部对应的部分自支撑地覆盖凹入部。该方法工艺稳定、成本低、周期短、效率高且具有高度的灵活性和可操作性。 | ||
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