专利详情

专利名称	一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法
申请号	CN201310518366.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104555905A	公开（授权）日	2015.04.29
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	王逸群;姜春宇;付思齐;林文魁;王德稳;张宝顺
主分类号	B81C3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C3/00(2006.01)I
专利有效期	一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法至一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及MEMS器件制造领域，具体公开一种晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔封装方法，包括步骤：S1通过阳极键合，将第一键合玻璃与带有通孔的硅晶圆的一侧表面键合，使得通孔形成各自独立的预成型腔；S2在部分预成型腔中，置入碱金属蒸汽反应物；S3通过气密胶键合，在缓冲气体存在下将第二键合玻璃与硅晶圆的另一侧外环键合，形成气密的预腔室；S4升温以使碱金属蒸汽反应物反应产生碱金属蒸汽；S5通过阳极键合使第二键合玻璃与硅晶圆的另一侧表面键合，形成各自独立封闭的原子蒸汽腔；以及S6划片，未置入碱金属蒸汽反应物的腔即为晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔。本发明的封装方法，完全兼容传统制造工艺，兼具单腔室的体积优势和双腔室蒸汽纯度高的优势。