专利详情

专利名称	一种异质p-n结纳米复合材料及其制备方法和应用
申请号	CN201310481613.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104549270A	公开（授权）日	2015.04.29
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	李琦;尚建库;刘玲梅;杨炜沂;高世安
主分类号	B01J23/72(2006.01)I	IPC主分类号	B01J23/72(2006.01)I;B01J27/04(2006.01)I;A62D3/17(2007.01)I;A01N59/20(2006.01)I;A01N59/16(2006.01)I;A01P1/00(2006.01)I
专利有效期	一种异质p-n结纳米复合材料及其制备方法和应用至一种异质p-n结纳米复合材料及其制备方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种特殊结构的p-n结纳米复合材料及其制备方法和应用，属于无机非金属纳米材料制备、环境保护技术与太阳能利用技术领域。该p-n结材料为以低维纳米结构（球状、多面体状、线状等）窄禁带p型半导体材料（氧化亚铜、硫化亚铜、硫化镉等）为内核，表面修饰（部分包覆）纳米尺度的宽禁带n型半导体材料（二氧化钛、氧化锌、氧化锡等）。采用控制金属盐水解的方法，在低维纳米结构窄禁带p型半导体材料的表面构建大量的异质纳米p-n结。该p-n结纳米复合材料可以直接用于解决可见光下有机物的分解和及微生物病原体的灭活和太阳能的高效利用的问题，特别是单成分光催化剂材料电子—空穴分离效率低的难题。