专利详情

专利名称	一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构
申请号	CN201410729324.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104538484A	公开（授权）日	2015.04.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	马英杰;张永刚;顾溢
主分类号	H01L31/107(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I
专利有效期	一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构至一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构，所述外延结构采用与衬底晶格匹配的P-型In_0.52Al_0.48As材料作为电子倍增层，失配的P-型In_xGa_1-xAs材料作为光吸收层，且采用能带递变和组分递变双过渡层；其中，0.53<x<1。本发明的器件结构可以在不牺牲倍增区材料质量的情况下，根据需要自由地将雪崩光电二极管的探测截止波长延伸到1.7-3.5μm之间。该器件结构适合于探测1-3.5μm波段的红外弱光信号，可以被广泛应用于如气体含量检测、医疗光谱检测、自由空间光通讯、卫星遥感与成像、导弹发动机尾焰探测等领域。