专利详情

专利名称	一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法
申请号	CN201410748529.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104538478A	公开（授权）日	2015.04.22
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	唐恒敬;邵秀梅;李雪;石铭;杨靖;汤乃云;龚海梅
主分类号	H01L31/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/08(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法至一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法，具体包括：在外延片上刻蚀形成p型微台面；在微台面局部区域上制备P电极区，其上置有覆盖部分微台面的电极互连区，并从微台面上延伸至微台面下；在微台面的一侧有刻蚀至n型缓冲层的N槽，并制备上N电极区。除P和N电极区外，整个外延片上覆盖有复合钝化层。本发明的优点是：Al₂O₃/SiN_x复合钝化膜结构可实现对微台面的有效覆盖，提升侧面钝化效果，降低界面态密度，提升器件的灵敏度；高温退火之后制备Al₂O₃/SiN_x复合钝化膜，避免了In元素的外扩散和薄膜绝缘性能的退化，提高器件的可靠性。