专利详情

专利名称	制备N型硅基太阳能电池P+型掺杂层的方法
申请号	CN201410781627.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104538506A	公开（授权）日	2015.04.22
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	杨海贵;刘震;刘海;李资政;王延超;王笑夷;申振峰;高劲松
主分类号	H01L31/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/20(2006.01)I
专利有效期	制备N型硅基太阳能电池P+型掺杂层的方法至制备N型硅基太阳能电池P+型掺杂层的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	制备N型硅基太阳能电池P+型掺杂层的方法，涉及太阳能电池领域，解决了现有采用硼扩散法制备P+型掺杂层存在的P+型掺杂层均匀性和可控性差的问题。该方法为：对N型单晶硅衬底进行化学清洗；采用沉积镀膜方法在N型单晶硅衬底表面沉积硅铝共掺杂非晶薄膜；对表面沉积了硅铝共掺杂非晶薄膜的N型单晶硅衬底进行高温退火热处理，硅铝共掺杂非晶薄膜中的铝离子扩散进入N型单晶硅衬底表面形成P+型掺杂层；利用化学腐蚀液将沉积在N型单晶硅衬底表面的硅铝共掺杂非晶薄膜除去，得到N型硅基太阳能电池P+型掺杂层。P+型掺杂层的掺杂浓度和结深可调控，均匀性较好，可用作发射结、表面场以及局部重P+型掺杂，有利于提升太阳能电池的效率。