专利详情

专利名称	一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途
申请号	CN201410811923.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104498895A	公开（授权）日	2015.04.08
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	宋志伟;褚卫国
主分类号	C23C16/30(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/30(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I
专利有效期	一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途至一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法：将衬底置于化学气相沉积设备腔体中，通入NH₃、O₂气体和含有SiH₄的气体作为反应气体，通入载体和保护气体，进行气相沉积，获得氮氧化硅膜材料，其中，所述化学气相沉积设备腔体的工作温度为100-260℃，工作压力为1-4Pa，功率为200-450W；其中，所述气相沉积的时间为15-40s；所述SiH₄气体与O₂气体的体积比为9-110，所述含有SiH₄的气体与NH₃气体的体积比为3-11，所述含有SiH₄的气体与载体和保护气体的体积比为0.1-1。本发明在四英寸硅基体上制备得到的氮氧化硅膜材料的厚度为6-9nm，薄膜不均匀性低于0.7％。