专利详情

专利名称	一种高性能高可靠度的低压CMOS基准电压源
申请号	CN201510012286.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104503530A	公开（授权）日	2015.04.08
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	黄森;林福江
主分类号	G05F1/56(2006.01)I	IPC主分类号	G05F1/56(2006.01)I
专利有效期	一种高性能高可靠度的低压CMOS基准电压源至一种高性能高可靠度的低压CMOS基准电压源	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高性能高可靠度的低压CMOS基准电压源，包括：启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路；其中，所述启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路的直流输入端均与直流电源VDD相连；所述启动电路与自偏置电压产生电路均与主偏置电流产生电路相连；该自偏置电压产生电路利用与主偏置电流产生电路之间的反馈产生稳定的偏置电压传输给主偏置电流产生电路；该主偏置电流产生电路与基准电压产生电路相连，由该基准电压产生电路输出低功耗低温度系数的基准电压Vref。本发明公开的CMOS基准电压源在CMOS工艺上易于实现，具有良好的兼容性，且可在低电压下具有高性能和高可靠度。