专利详情

专利名称	一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片
申请号	CN201410842021.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104503039A	公开（授权）日	2015.04.08
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张莉萌;陆丹;赵玲娟;余力强;潘碧玮;王圩
主分类号	G02B6/42(2006.01)I	IPC主分类号	G02B6/42(2006.01)I
专利有效期	一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片至一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片，该芯片包括：InP基半导体激光器阵列，将待传输信号转换成基模光信号；多模干涉功率分束器，对基模光信号进行分束处理；光波导连接结构，连接InP基半导体激光器阵列和多模干涉功率分束器；移相器，对多模干涉功率分束器部分输出端的输出进行移相，使该部分输出端输出与其他输出端输出之间产生第二相位差，并将移相后的信号发送给多模干涉模式复用器；多模干涉模式复用器，对于光信号进行复用，将InP基半导体激光器阵列中部分激光器的基模光信号转换成一阶模并与其他激光器的基模光信号进行复用输出。本发明降低了器件和模块的制造难度和成本，有利于模分复用技术在接入网层面的大规模应用。