专利详情

专利名称	硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
申请号	CN201410785433.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104499054A	公开（授权）日	2015.04.08
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨涛;杜文娜;杨晓光;王小耶;季祥海;王占国
主分类号	C30B29/52(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/52(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法至硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；步骤4：将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH₃气体；步骤5：将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH₃气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；步骤6：生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH₃和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。本发明具有处理工艺简单，成本大大降低；不需要使用外来催化剂，没有污染；也不需要核子纳米线辅助成核，生长步骤简化。