专利详情

专利名称	一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法
申请号	CN201410764375.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104495766A	公开（授权）日	2015.04.08
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	孔苏苏;李辉杰;冯玉霞;赵桂娟;魏鸿源;杨少延;王占国
主分类号	C01B21/068(2006.01)I	IPC主分类号	C01B21/068(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法至一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中，在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备；步骤4：结束生长后，关闭氢化物源；步骤5：当反应室温度降到550℃以下，关闭氮源；步骤6：反应室温度降到室温后，取出样品。