专利详情

专利名称	钙钛矿基薄膜太阳电池
申请号	CN201420649588.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204243085U	公开（授权）日	2015.04.01
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	孟庆波;李冬梅;肖俊彦;罗艳红
主分类号	H01L51/42(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I
专利有效期	钙钛矿基薄膜太阳电池至钙钛矿基薄膜太阳电池	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种钙钛矿基薄膜太阳电池。包括：透明衬底；在透明衬底上形成的导电层；在导电层上形成的半导体材料的致密层；在致密层上形成的多孔支架层；在多孔支架层的内部空隙中填充的具有钙钛矿结构的半导体吸光层；在多孔支架层上形成的空穴传输层；在空穴传输层上形成的对电极；空穴传输层为能够进行空穴传输的导电聚合物复合材料。本实用新型采用导电聚合物复合材料作为钙钛矿基薄膜太阳电池的空穴传输层，与传统的仅含聚合物空穴传输层的钙钛矿基薄膜太阳电池相比，提高了空穴传输层的空穴迁移能力，提升了电池的转换效率。