专利详情

专利名称	具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法
申请号	CN201410785415.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104485357A	公开（授权）日	2015.04.01
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张烁;马平;郭仕宽;刘波亭;李晋闽;王军喜
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法至具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种具有氮化镓系高阻层的HEMT，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层生长在衬底上；一高阻层，该高阻层生长在氮化镓成核层上；一氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层生长在高阻层上；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层生长在氮化镓沟道层上；一势垒层，该势垒层成分为氮化镓铝，生长在氮化铝插入层上；一帽层，其生长在势垒层上；一源极，其制作在帽层上面的一侧；一漏极，其制作在帽层上面的另一侧；一栅极，其制作在帽层上面，源极和漏极之间；该源极、漏极和栅极彼此分开。本发明可以实现降低氮空位浓度，降低背景载流子浓度，获得高阻层。