专利详情

专利名称	一种等温腔结构及其制造方法
申请号	CN201410632743.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104482515A	公开（授权）日	2015.04.01
申请（专利权）人	中国科学院广州能源研究所	发明（设计）人	王亦伟;岑继文;蒋方明;曹文炅
主分类号	F21V29/503(2015.01)I	IPC主分类号	F21V29/503(2015.01)I;F21V29/89(2015.01)I;F21Y101/02(2006.01)N
专利有效期	一种等温腔结构及其制造方法至一种等温腔结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种等温腔结构，其包括上盖层、位于所述上盖层下侧的下盖层以及接触凸起，所述上盖层和下盖层拼接形成一容置腔；在该容置腔中安装上下分布的烧结块层和泡沫铜层，所述烧结块层和泡沫铜层相接触，且烧结块层和泡沫铜层中位于上侧的部件之上端面与上盖层的内壁接触，位于下侧的部件之下端面与下盖层的内壁接触，所述接触凸起的一端与LED灯珠固定，其另一端从下盖层的下端面嵌入下盖层之中。本发明可减少LED热量传导的路径，实现将PCB基板去除，减少LED灯珠基板和散热器之间的温差，增加等温腔的轴向导热能力，同时降低成本，增加LED灯具和背光模块的可靠性，延长使用寿命。