专利详情

专利名称	一种通过前驱体的酸化剥离氧化来合成超薄Se纳米片的方法及其应用
申请号	CN201410706212.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104445102A	公开（授权）日	2015.03.25
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	俞书宏;胡增文;徐亮;阳缘
主分类号	C01B19/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01B19/02(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种通过前驱体的酸化剥离氧化来合成超薄Se纳米片的方法及其应用至一种通过前驱体的酸化剥离氧化来合成超薄Se纳米片的方法及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种通过前驱体的酸化剥离氧化来合成超薄Se纳米片的方法及其应用，其特征在于：以ZnSe-Amine有机-无机杂化纳米片为前驱体；在水中加入酸，调节水pH在0.1到2的范围内，然后加入前驱体，常温下连续磁力搅拌或超声0.5-2h，使用酸化剥离氧化，即得超薄Se纳米片；所得超薄Se纳米片可用于作为制备结晶Se纳米线、多孔硒化物纳米片及贵金属纳米片的模板材料。