一种高强度芳纶透明导电薄膜及其制备方法与应用
- 申请号:CN201410837487.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中科院广州化学有限公司
- 公开(公开)号:CN104464973A
- 公开(公开)日:2015.03.25
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种高强度芳纶透明导电薄膜及其制备方法与应用 | ||
| 申请号 | CN201410837487.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN104464973A | 公开(授权)日 | 2015.03.25 |
| 申请(专利权)人 | 中科院广州化学有限公司 | 发明(设计)人 | 胡继文;于法猛;吴艳;涂园园;林树东 |
| 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种高强度芳纶透明导电薄膜及其制备方法与应用 至一种高强度芳纶透明导电薄膜及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开一种高强度芳纶透明导电薄膜及其制备方法与应用,属于芳纶膜制备技术领域。本发明通过在有机溶剂中加入芳纶,同时加入强碱和催化剂,加热搅拌均匀,得到均匀分散的芳纶铸膜液;将芳纶铸膜液在基材上刮涂成膜,然后将纳米银线乙醇分散液喷洒在芳纶膜上,加热烘干,得到高强度芳纶透明导电薄膜。本发明的方法制备简单、温和,得到高强度芳纶透明导电膜,具有芳纶优异的力学性能和纳米银线良好的导电性。而且该膜柔性好,抗弯折,而且抗老化、使用寿命周期长,可以广泛应用于电子器件领域。 | ||
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