专利详情

专利名称	一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的厚度调控方法
申请号	CN201410684988.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104449717A	公开（授权）日	2015.03.25
申请（专利权）人	中国科学院青海盐湖研究所	发明（设计）人	年洪恩;周园;吴志坚;孙庆国;李翔;申月;海春喜;任秀峰;曾金波;董欧阳;云强;李松;张立娟
主分类号	C09K11/78(2006.01)I	IPC主分类号	C09K11/78(2006.01)I
专利有效期	一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的厚度调控方法至一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的厚度调控方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的厚度调控方法，包括：1)将水溶性钇盐、氧化铕、氨水、醇和水混合；2)向步骤1)得到的混合物中加入硼源，所述硼源为硼酸或硼酸酯；3)步骤2)得到的混合物反应24～48h；4)使用浸渍提拉法对硅底片进行镀膜，镀膜速度为0.88～1.52mm/s，镀膜后置于马弗炉中进行200～600℃煅烧；此过程反复1-6次；5)薄膜达到预期厚度后置于1000℃以下进行退火，得到YBO₃:Eu³⁺薄膜，所述预期厚度为10～100nm。本发明的优点在于：溶胶-凝胶浸渍提拉镀膜法制备YBO₃：Eu³⁺纳米材料，具有厚度可控和特殊形貌的优势。