专利详情

专利名称	一种SOI ESD两级保护网络
申请号	CN201410712386.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104465651A	公开（授权）日	2015.03.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宁冰旭;张正选;胡志远;彭超;樊双;邹世昌
主分类号	H01L27/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I
专利有效期	一种SOI ESD两级保护网络至一种SOI ESD两级保护网络	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种SOI?ESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括PMOS晶体管、外接电阻、缓冲电阻和硅控整流器，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接所述硅控整流器的P型层及N阱区，并作为保护网络的输出端，所述PMOS晶体管的栅端和体端接电源线，源端接保护网络的输入端，漏端接所述外接电阻的第一端，并与所述硅控整流器的P阱区连接，所述外接电阻的第二端接地线，所述硅控整流器的N型层接地线。本项发明的SOI硅控整流器采用动态触发的原理，可以大大提高二级保护的反应速度，并大大降低内部电路栅击穿的可能性。