专利详情

专利名称	电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法
申请号	CN201410817479.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104465921A	公开（授权）日	2015.03.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	詹腾;马骏;刘志强;伊晓燕;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/14(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法至电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明公开了一种电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法。该芯片包括外部连接端口，具有导电能力的透明电极层，绝缘介质填充层以及发光光源发光二极管芯片。通过将一定数量的发光二极管芯片与绝缘介质层形成电容器结构，在绝缘电介质层两层为导电介质层，由此构成电容式结构，整个结构通过电极上的引线Pad点与外部连接端口连接。该发光二极管集成芯片采用新颖的驱动方式和芯片结构，采用高介电常数绝缘介质材料，芯片可由交流电源直接驱动，制作简单，成本低。