一种大面积厚GEM的制作工艺
- 申请号：CN201410704645.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：惠州市金百泽电路科技有限公司;中国科学院高能物理研究所
- 公开(公开)号：CN104465266A
- 公开(公开)日：2015.03.25
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种大面积厚GEM的制作工艺 | ||
| 申请号 | CN201410704645.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104465266A | 公开（授权）日 | 2015.03.25 |
| 申请（专利权）人 | 惠州市金百泽电路科技有限公司;中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 谢宇广;吴军权;吕军光;陈春;武守坤;林映生;唐宏华 |
| 主分类号 | H01J9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J9/00(2006.01)I;H01J47/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种大面积厚GEM的制作工艺 至一种大面积厚GEM的制作工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种大面积厚GEM的制作工艺，包括阻焊层覆盖、激光开窗、绝缘环加工、通孔成型和阻焊层消褪处理等步骤，采用激光钻孔方式，激光钻孔开窗和激光钻孔通孔成型的双重定位技术进行厚GEM的加工。本发明大面积厚GEM的制作工艺具有成本低、加工精度高和生产效率高等特点。 | ||
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