专利详情

专利名称	纳米对电极及其制备方法
申请号	CN201410738817.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104465327A	公开（授权）日	2015.03.25
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	唐成春;顾长志;李俊杰;杨海方;全保刚;姜倩晴
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	纳米对电极及其制备方法至纳米对电极及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种纳米对电极及其制备方法。包括：设置衬底并在其上设置抗蚀剂；确定曝光版图，曝光版图具有用于形成纳米对电极的纳米对电极图案，纳米对电极图案由沿一直线延伸的两个长条形部分构成，并且呈轴对称布置；每一长条形部分包括一个长方形和一个三角形，长方形的短边与三角形的一条边重合；两个长条形部分的三角形相互面对；按照曝光版图对抗蚀剂电子束曝光、显影、定影，形成刻蚀凹槽；在具有刻蚀凹槽的衬底上沉积金属，溶解残留的抗蚀剂，得到纳米对电极。该纳米对电极具有点接触结构，性能更加稳定可靠，接触面积和辐射较小，减弱了近邻效应，更好地调控微区曝光剂量，提高了曝光分辨率，得到了间距3～10nm的纳米对电极。