专利详情

专利名称	基于存储器的片内△∑模拟激励生成方法中比特流的选择方法
申请号	CN201410799882.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104459521A	公开（授权）日	2015.03.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	彭智聪;陈岚;冯燕
主分类号	G01R31/3167(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/3167(2006.01)I
专利有效期	基于存储器的片内△∑模拟激励生成方法中比特流的选择方法至基于存储器的片内△∑模拟激励生成方法中比特流的选择方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种基于存储器的片内Δ∑模拟激励生成方法中比特流的选择方法，包括：步骤1：根据待测ADC所需要的测试激励，确定输入波形；步骤2：根据输入波形的参数，确定调制器模型的参数，建立调制器模型；步骤3：根据调制器模型的参数和片内存储器容量大小，确定比特流长度的取值范围；步骤4：根据比特流长度的取值范围，计算比特流长度的取值范围内各取值对应的输出信号的信噪比，筛选出所述信噪比达到预设值时对应的比特流长度取值，作为比特流长度的最优值；步骤5：如果均未达到预设值，则增加调制器模型的阶数，重复步骤4。利用本发明所提供的比特流选择方法，可以使得基于存储器的Δ∑模拟激励生成方法片内面积较小，精度较高。