专利详情

专利名称	磁控溅射镀膜真空箱体
申请号	CN201410835443.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104451581A	公开（授权）日	2015.03.25
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	高劲松;刘震;刘海;王笑夷;杨海贵;王彤彤;申振峰
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I
专利有效期	磁控溅射镀膜真空箱体至磁控溅射镀膜真空箱体	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种磁控溅射镀膜真空箱体，属于薄膜制备设备技术领域。解决了现有技术中磁控溅射镀膜真空箱体结构固定、耗费人力大，对体积限制性强，对于大口径SiC表面改性的局限性大的技术问题。该真空箱体，包括箱盖、上箱体、下箱体、液压支撑机构和滑板；上箱体和下箱体的侧壁上设有多个法兰口和多个冷却水管，箱盖的上表面、上箱体的侧壁和下箱体的侧壁上均设有加强筋。该真空箱体、上箱体和下箱体均可分别拆卸，下箱体可单独或者同上箱体共同随滑板移动，箱盖可以单独也可以同上箱体共同升降，利于借助吊装机械设备对磁控溅射设备进行安装、清洁及维护保养，操作方便，降低人力耗费。