专利详情

专利名称	一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜快速脱膜方法
申请号	CN201410621218.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104445970A	公开（授权）日	2015.03.25
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所;武汉大学	发明（设计）人	李斌成;何治柯;吉邢虎;柳存定
主分类号	C03C15/00(2006.01)I	IPC主分类号	C03C15/00(2006.01)I
专利有效期	一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜快速脱膜方法至一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜快速脱膜方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜的快速脱膜方法，属于光学元件制备方法技术领域，该方法利用复分解反应或络合反应，在室温或加热条件下反应，使熔石英光学基底表面氟化物发生化学反应而被彻底清除，热水浴中反应除膜，最快仅需20-30分钟，温水浴中除膜需1.5-2.5小时，室温除膜需3-7小时。脱膜后与未镀膜光学基底相比表面粗糙度无明显变化，亦无可探测物理或化学损伤。