专利详情

专利名称	气体脱附阴离子层状化合物所吸附的六价铬的方法
申请号	CN201310415327.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104437445A	公开（授权）日	2015.03.25
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	林璋;陈志;吕香英;王永净
主分类号	B01J20/34(2006.01)I	IPC主分类号	B01J20/34(2006.01)I;C02F1/28(2006.01)I;C02F1/62(2006.01)I;C02F101/22(2006.01)N
专利有效期	气体脱附阴离子层状化合物所吸附的六价铬的方法至气体脱附阴离子层状化合物所吸附的六价铬的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种脱附阴离子层状化合物所吸附的六价铬的方法，其采用气相脱附剂进行脱附。本发明利用气相脱附剂（如CO₂气体）在一定压力下对阴离子层状化合物上吸附的六价铬高浓度脱附，可实现六价铬资源的回收利用和阴离子层状化合物吸附材料的低成本和简便再生与循环使用。本方法的气相脱附剂（如CO₂气体）来源广，成本低，高浓度脱附和吸附材料的简便再生与循环使用，脱附过程用水量少，脱附六价铬液浓度可达到5000mg/L以上，铬的脱附率可达到90%以上，且脱附过程中不在脱附液中引入其他杂离子。此外，本发明的方法脱附后直接实现吸附材料的再生而不需要通过高温煅烧、水化等复杂工艺。