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一种干旱区层式结构的蓖麻高产种植方法

  • 申请号:CN201410558557.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院新疆生态与地理研究所
  • 公开(公开)号:CN104429451A
  • 公开(公开)日:2015.03.25
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种干旱区层式结构的蓖麻高产种植方法
申请号 CN201410558557.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104429451A 公开(授权)日 2015.03.25
申请(专利权)人 中国科学院新疆生态与地理研究所 发明(设计)人 赵振勇;卞卫国;田长彦;孙立军;张科
主分类号 A01G1/00(2006.01)I IPC主分类号 A01G1/00(2006.01)I
专利有效期 一种干旱区层式结构的蓖麻高产种植方法 至一种干旱区层式结构的蓖麻高产种植方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种干旱区层式结构的蓖麻高产种植方法,该方法结合了蓖麻生物学特性,采取“一膜两带三行”的膜下滴灌种植模式,通过高矮品种搭配,并辅助以整枝、化控措施,构造蓖麻高生长期高矮行交错的层式结构排列,改善授粉环境,提高群体叶面积指数和光合生产力。本发明所述方法克服了蓖麻生长期授粉不良对产量的影响,也提高了蓖麻群体光合能力,对干旱区蓖麻高产栽培有很好的指导价值。

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