专利详情

专利名称	基于In₂O₃纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法
申请号	CN201310407887.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104422716A	公开（授权）日	2015.03.18
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所	发明（设计）人	冯亮;杨卫;关亚风
主分类号	G01N27/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/00(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	基于In₂O₃纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法至基于In₂O₃纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于In₂O₃纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法。是以两步化学转化法合成多孔半导体In₂O₃纳米材料，经过初步分离纯化后得到纯度较高的In₂O₃纳米线，并以此作为气敏性材料，组装成半导体气体传感器。该气体传感器的工作原理是根据半导体In₂O₃纳米线材料暴露在空气和待测气体中电信号（电阻、电压、电流等）的变化来进行检测和分析的。气体传感器能够对乙醇、丙酮、甲醛等常见的有机挥发性气体(VOCs)及氨气、硫化氢等有毒有害环境污染性气体有较好的响应，而且其响应程度（即灵敏度）与待测气体的浓度（或含量）直接相关，可用于气体的在线检测。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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