钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法
- 申请号:CN201310410388.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN104419984A
- 公开(公开)日:2015.03.18
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310410388.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN104419984A | 公开(授权)日 | 2015.03.18 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 罗豪甦;王西安;林迪;赵祥永;王升;徐海清;李晓兵;张海武;邓昊;陈建伟 |
| 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法 至钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法,所述钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的化学组成为(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3,其中x=0.20~0.45,y=0.15~0.70,所述制备方法包括如下步骤:(1)首次晶体生长原料的制备;(2)首次晶体生长;(3)再次晶体生长原料的制备;(4)再次晶体生长。本发明采用坩埚下降多次生长的方法,能够明显地抑制晶片的组份分凝,扩展晶体高性能区域,能够有效针对不同应用的最优取向性晶片,从而生长出大尺寸、高性能区间大、高质量弛豫铁电单晶材料PIMNT,使得晶体利用率提高,能够克服单晶批量生长和应用的困难。 | ||
交易流程
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专利 -
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