专利详情

专利名称	氧化铝多孔陶瓷的低温烧成方法
申请号	CN201310364708.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104418591A	公开（授权）日	2015.03.18
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	席红安;李勤;张继周;王若钉
主分类号	C04B35/10(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B38/06(2006.01)I
专利有效期	氧化铝多孔陶瓷的低温烧成方法至氧化铝多孔陶瓷的低温烧成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种氧化铝多孔陶瓷的低温烧成方法，所述低温烧成方法使用钙铜钛三元素复合而成的烧成助剂，其中所述烧成助剂中的铜元素在整个烧成过程中以一价稳定存在。本发明的方法采用钙铜钛三元素复合而成的烧成助剂。在这种三元复合助剂中，铜元素在烧成过程中以一价稳定存在，从而保证了所制备的氧化铝陶瓷呈现出均匀的浅棕色。避免了以铜钛二元复合助剂制备的氧化铝陶瓷可能出现的颜色不均匀现象。而且这种三元复合烧成助剂可以使氧化铝陶瓷在更低的温度烧成，有利于降低氧化铝陶瓷的生产成本。