专利详情

专利名称	一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法
申请号	CN201410709308.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104409177A	公开（授权）日	2015.03.11
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	任文才;马来鹏;成会明
主分类号	H01B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01B13/00(2006.01)I
专利有效期	一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法至一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及石墨烯透明导电膜的制备技术，具体为一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法。该方法通过夹层结构提高石墨烯透明导电膜的掺杂效果和稳定性，掺杂剂与石墨烯的本征表面直接接触并位于石墨烯与透明基体之间。首先在初始基体上的石墨烯表面或透明基体表面形成掺杂剂，然后将石墨烯、掺杂剂和透明基体进行结合，最后将石墨烯与初始基体分离，从而制备出稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜。石墨烯作为掺杂剂的外层保护膜，提高掺杂的稳定性；石墨烯的本征表面与掺杂剂直接接触，避免杂质对两者之间界面的污染，改善掺杂剂的掺杂效果，从而提高薄膜的导电性。将石墨烯的转移和掺杂过程合二为一，易于实现规模化制备。