专利详情

专利名称	碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
申请号	CN201410643283.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104409501A	公开（授权）日	2015.03.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	霍瑞彬;申华军;白云;汤益丹;刘新宇
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管至碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：源极(1)、栅极(2)、栅氧化层(3)、N⁺源区(4)、P⁺接触区(5)、P阱(6)、N^-外延层(7)、缓冲层(8)、N⁺衬底(9)、漏极(10)、隔离介质(11)和额外N型注入的JFET子区域(12)。本发明提出的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，通过部分额外N型注入器件的JFET区域，降低JFET区域电阻，同时满足沟道不被耗尽，尤其可应用于短沟道碳化硅MOSFET器件中。利用本发明制备的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件，可用于功率开关电源电路，DC/DC、AC/DC、DC/AC变换器等。