专利详情

专利名称	一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法
申请号	CN201410546842.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104406532A	公开（授权）日	2015.03.11
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	虞慧娴;孙士文;杨建荣;周昌鹤;徐超;周梅华;王云
主分类号	G01B11/06(2006.01)I	IPC主分类号	G01B11/06(2006.01)I
专利有效期	一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法至一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法，本发明先使用体积分数为1％-5％的溴甲醇溶液，对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄，获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷，在100倍视场下用光学显微镜进行观察，确定损伤层刚好完全去除的位置，比较损伤层去除前后的晶片厚度差异，计算损伤层厚度。本发明的优点是：(1)通过观察晶片表面缺陷的形貌来判断损伤层厚度，结果直观准确。(2)能够在1小时内完成晶片损伤层厚度检测，不存在多次腐蚀及多次检测，便利快捷，实用性高。