辐射探测电路
- 申请号：CN201410594331.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN104407373A
- 公开(公开)日：2015.03.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 辐射探测电路 | ||
| 申请号 | CN201410594331.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104407373A | 公开（授权）日 | 2015.03.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生;罗家俊 |
| 主分类号 | G01T1/24(2006.01)I | IPC主分类号 | G01T1/24(2006.01)I |
| 专利有效期 | 辐射探测电路 至辐射探测电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种辐射探测电路，包括：辐射感应探测器，所述辐射感应探测器为用于感测待测辐射的PMOS晶体管；电流控制器，用于控制所述辐射感应探测器中通过的电流大小；信号放大器，用于放大所述辐射感应探测器的输出；比较放大器，用于将信号放大器的输出与参考信号进行比较，将比较产生的差值放大后输出。本发明通过使用恒定电流源将由辐射敏感PMOS管所产生的电流，转换为阈值电压的变化，经放大器比较读出后能直接得到辐射的总剂量，不仅简便易行，且电路结构简单，无多余的耗电元件，与现有技术相比极大地降低了功耗。 | ||
交易流程
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