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D相二氧化钒纳米星粉体及其制备方法

  • 申请号:CN201410592579.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
  • 公开(公开)号:CN104402050A
  • 公开(公开)日:2015.03.11
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 D相二氧化钒纳米星粉体及其制备方法
申请号 CN201410592579.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104402050A 公开(授权)日 2015.03.11
申请(专利权)人 中国科学院合肥物质科学研究院 发明(设计)人 钟莉;李明;李广海
主分类号 C01G31/02(2006.01)I IPC主分类号 C01G31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期 D相二氧化钒纳米星粉体及其制备方法 至D相二氧化钒纳米星粉体及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种D相二氧化钒纳米星粉体及其制备方法。粉体为D相二氧化钒纳米星粉体,其形貌为扁厚为30~60nm、扁径为60~100nm的五星或六星形扁体颗粒,五星或六星的锥状星角根部的厚与扁厚相同、宽为30~60nm,星角长为70~100nm;方法为先将偏钒酸铵溶解于去离子水中搅拌得到偏钒酸铵水溶液,再向搅拌下的偏钒酸铵水溶液中滴加甲酸溶液,得到pH值为1~3的混合液,之后,先将混合液置于密闭状态,于180~220℃下反应1~3d,得到反应液,再对反应液依次进行固液分离、洗涤和干燥的处理,制得目的产物。它经后续热处理得到的VO2(M)纳米星粉体可广泛地用于智能温控薄膜、热敏电阻材料、光电开关材料、红外探测材料、气敏传感器以及存储材料等领域。

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