专利详情

专利名称	一种制备三维ZnO纳米线网的方法
申请号	CN201410718597.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104402039A	公开（授权）日	2015.03.11
申请（专利权）人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	发明（设计）人	王亮;陆文强;宋金会;冯双龙;王凤丽;李振湖
主分类号	C01G9/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01G9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	一种制备三维ZnO纳米线网的方法至一种制备三维ZnO纳米线网的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl₄与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括ZnO粉和石墨粉，其气流下游位置放置衬底，抽真空，把真空管加热到800-1200℃，然后通入氧气和工作气体，控制压强到30-400毫巴，生长时间大于20min，然后让真空管式炉自然降温，在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。本发明方法简单，利用聚合物诱导三维纳米线网络生长。制备的纳米线取向有垂直衬底和平行衬底两类，构成有序三维纳米线网络结构，具有极大的应用价值。