专利详情

专利名称	一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用
申请号	CN201310351839.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104377114A	公开（授权）日	2015.02.25
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	李振军;白冰;杨晓霞;王小伟;许应瑛;戴庆;裘晓辉
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;H01L29/15(2006.01)I
专利有效期	一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用至一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度，且保证了锗量子点的自组织生长过程，形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。