一种倒装结构发光二极管及其制作方法
- 申请号：CN201410658854.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN104393127A
- 公开(公开)日：2015.03.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种倒装结构发光二极管及其制作方法 | ||
| 申请号 | CN201410658854.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104393127A | 公开（授权）日 | 2015.03.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 马平;吴冬雪;王军喜;李晋闽 |
| 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
| 专利有效期 | 一种倒装结构发光二极管及其制作方法 至一种倒装结构发光二极管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种倒装结构发光二极管及其制作方法。所述发光二极管包括：衬底、缓冲层、n型接触层、活性发光层、电子阻挡层和p型接触层；其中，所述衬底与活性发光层之间具有多孔状或者柱状的纳米结构层。本发明中所述发光二极管用于倒装结构芯片制作，且在衬底和活性发光层之间制作有利于透光的纳米结构层。 | ||
交易流程
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