专利详情

专利名称	绿光LED外延层结构及生长方法
申请号	CN201410636516.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104393132A	公开（授权）日	2015.03.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘炜;赵德刚;陈平;刘宗顺;朱建军;江德生
主分类号	H01L33/12(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/12(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	绿光LED外延层结构及生长方法至绿光LED外延层结构及生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种绿光LED外延层结构及生长方法，其中绿光LED外延层结构，包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一多量子阱区，其生长在N型GaN层上；一P型AlGaN层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在P型AlGaN层上；一P型GaN盖层，其生长在P型GaN层上。本发明是通过提高MQW中空穴的注入效率和减小InGaN量子阱中的QCSE效应，实现绿光LED发光效率的提升。