辐射探测电路
- 申请号：CN201410645500.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN104391315A
- 公开(公开)日：2015.03.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 辐射探测电路 | ||
| 申请号 | CN201410645500.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104391315A | 公开（授权）日 | 2015.03.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生 |
| 主分类号 | G01T1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01T1/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 辐射探测电路 至辐射探测电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种辐射探测电路，包括：辐射敏感电流源单元，所述辐射敏感电流源单元包含至少一个辐射敏感PMOS管，用于感测待测辐射，从而产生随辐射量变化的参考电流；电流镜单元，用于复制辐射敏感电流源单元产生的参考电流；电压输出单元，用于将电流镜单元输出的电流放大，并转换为电压输出，从该电压反映待测辐射。本发明通过采用电流镜复制由辐射敏感PMOS管所产生的电流，并转换为电压放大输出，实现了将辐射引起的微小的阈值电压变化转变成较大的输出电压变化，使得对辐射总剂量的检测变得简便易行。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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过户资料
平台保障
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