专利详情

专利名称	一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法
申请号	CN201410667606.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104370270A	公开（授权）日	2015.02.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	戴鹏飞;李铁;高安然;鲁娜;王跃林
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法至一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法，其特征在于所述的方法是利用牺牲层腐蚀技术，使用接触式曝光光刻和湿法腐蚀工艺，即通过三次光刻工艺和进行三次BOE腐蚀工艺制备。本发明在传统“自上而下”方法的基础上，结合独特的设计，不借助于电子束或聚焦离子束直写，仅用接触式曝光技术结合精确控制地牺牲层腐蚀技术，实现了氧化硅纳米岛阵列的精确定位加工制造。方法设计精巧，工艺简单，制作成本低，易于批量制造。